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参数资料
| 型号： | FGH60N60SFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 120A |
| 功率 - 最大： | 378W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
180
150
o
20V
15V
180
150
o
20V
15V
12V
12V
10V
120
90
10V
120
90
60
30
0
V GE = 8V
60
30
0
V GE = 8V
0
2 4 6
8
0
2 4 6
8
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
180
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
180
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
150
120
90
60
30
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
150
120
90
60
30
Common Emitter
V CE = 20V
o
o
0
0
1 2 3 4
5
0
0
1 2 3 4
5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = -40 C
4.0
3.5
Common Emitter
V GE = 15V
120A
20
16
Common Emitter
o
3.0
12
2.5
60A
2.0
8
1.5
I C = 30A
4
60A
120A
I C = 30A
Case Temperature, T C [ C]
1.0
25
50 75 100
o
125
0
0
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH60N60SFD Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH60N60SFTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| FGH60N60SMD | IGBT 600V 60A TO-247 |
| FGH60N60UFDTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| FGH75N60UFTU | IGBT N-CH 600V 75A TO-247 |
| FGH80N60FD2TU | IGBT 600V 80A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH60N60SFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 600V 60A/ FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N60SMD | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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