- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录430 > FGH60N60SFDTU (Fairchild Semiconductor)IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGH60N60SFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 120A |
| 功率 - 最大： | 378W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Forward Characteristics
200
Figure 20. Reverse Current
500
T C = 125 C
100
100
o
T J = 125 C
T J = 25 C
o
o
10
T C = 75 C
T J = 75 C
10
o
1
o
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
o
o
0.1
o
1
0
1 2 3
4
0.01
0
200
400
600
Forward Voltage, V F [V]
Figure 21. Stored Charge
100
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 22. Reverse Recovery Time
60
200A/ ? s
80
60
200A/ ? s
diF/dt = 100A/ ? s
50
40
di F /dt = 100A/ μ s
T C = 25 C
T C = 25 C
40
5
20
40
o
60
30
5
20
40
o
60
Forward Current, I F [A]
Forward Current, I F [A]
Figure 23. Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH60N60SFD Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH60N60SFTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| FGH60N60SMD | IGBT 600V 60A TO-247 |
| FGH60N60UFDTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| FGH75N60UFTU | IGBT N-CH 600V 75A TO-247 |
| FGH80N60FD2TU | IGBT 600V 80A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH60N60SFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 600V 60A/ FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N60SMD | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。