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参数资料
| 型号： | FGH60N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 120A |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
o
16
12
8
Figure 8. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
o
16
12
8
4
60A
I C = 30A
120A
4
60A
I C = 30A
120A
0
0
3
6 9 12 15
18
0
0
3
6 9 12 15
18
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Capacitance Characteristics
6000
Common Emitter
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
????????????????? Figure 10. Gate charge Characteristics
15
Common Emitter
T C = 25 C
T C = 25 C
4000
C ies
V GE = 0V, f = 1MHz
o
12
9
o
V CC = 100V
300V
200V
C oes
6
2000
3
C res
0
1
10
30
0
0
50
100 150
200
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 11. SOA Characteristics
500
100
10
1
Single Nonrepetitive
?
10 ? s
100 ? s
1ms
10 ms
DC
?? Figure 12. Turn off Switching SOA Characteristics
300
100
10
V GE = 15V, T C = 125 C
0.1
0.01
1
Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
10 100
1000
1
1
Safe Operating Area
o
10
100
1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
FGH60N60UFD Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FGH60N6S2 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
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