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参数资料
| 型号： | FGH60N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 120A |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
Figure 14. Turn-off Characteristics vs.
? Gate Resistance
300
6000
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 60A
T C = 25 C
T C = 125 C
100
t r
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
1000
100
o
o
t d(off)
t f
T C = 25 C
T C = 125 C
t d(on)
I C = 60A
o
o
10
0
10
20 30 40
50
10
0
10
20
30
40
50
T C = 25 C
T C = 25 C
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 15. Turn-on Characteristics vs .
Collector Current ?
500
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 5 ?
o
Gate Resistance, R G [ ? ]
??? Figure 16. ? Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
1000
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 5 ?
o
T C = 125 C
T C = 125 C
o
t r
o
100
t d(off)
100
t d(on)
t f
10
30
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
120
Collector Current, I C [A]
Collector Current, I C [A]
Figure 17. Switching Loss vs. Gate Resistance ??????? Figure 18. ? Switching Loss vs. Collector Current
20
Common Emitter
20
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
10
V GE = 15V, R G = 5 ?
10 I = 60A
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
1
C
o
o
E on
E off
1
0.1
o
o
E on
E off
0
10
20 30 40
50
0
20
40
60
80
100
120
Gate Resistance, R G [ ? ]
Collector Current, I C [A]
FGH60N60UFD Rev.C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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