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参数资料
| 型号： | FGH80N60FDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 80A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
Top Mark
Package Packing Method
Reel Size
Tape Width
Quantity
FGH80N60FDTU
FGH80N60FD
TO-247
Tube
N/A
N/A
30
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV CES
? BV CES /
? T J
I CES
I GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0 V, I C = 250 uA
V GE = 0 V, I C = 250 uA
V CE = V CES , V GE = 0 V
V GE = V GES , V CE = 0 V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
±400
V
V/ ? C
uA
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 250 uA, V CE = V GE
I C = 40 A , V GE = 15 V
I C = 40 A , V GE = 15 V,
T C = 125 ? C
4.5
--
--
5.5
1.8
2.05
7.0
2.4
--
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
Input Capacitance
--
2110
--
pF
C oes
C res
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30 V , V GE = 0 V,
f = 1 MHz
--
--
200
60
--
--
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
--
--
21
56
--
--
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
Q g
Q ge
Q gc
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V CC = 400 V, I C = 40 A,
R G = 10 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 25 ? C
V CC = 400 V, I C = 40 A,
R G = 10 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 125 ? C
V CE = 400 V, I C = 40 A,
V GE = 15 V
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
126
50
1
0.52
1.52
20
54
131
70
1.1
0.78
1.88
120
14
58
--
100
1.5
0.78
2.28
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH80N60FD Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
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