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参数资料
| 型号： | FGH80N60FDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 80A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
V FM
Diode Forward Voltage
I F = 20 A
T C = 25 ? C
T C = 125 ? C
-
-
2.3
1.7
2.8
-
V
t rr
I rr
Q rr
Diode Reverse Recovery Time
I F =20 A,
Diode Reverse Recovery Current di F / dt = 200 A/ ? s
Diode Reverse Recovery Charge
T C = 25 ? C
T C = 125 ? C
T C = 25 ? C
T C = 125 ? C
T C = 25 ? C
T C = 125 ? C
-
-
-
-
-
-
36
105
2.6
7.8
46.8
409
-
-
-
-
-
-
ns
A
nC
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH80N60FD Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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