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参数资料
| 型号： | FGPF4536 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 360V TO-220-3FP |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 360V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.8V @ 15V，50A |
| 功率 - 最大： | 28.4W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
200
o
20V
15V
12V
10V
200
o
20V
15V
12V
150
100
50
V GE = 8V
150
100
50
10V
V GE = 8V
0
0
1 2 3 4 5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
6
0
0
1 2 3 4 5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
6
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Figure 4. Transfer Characteristics
T C = 25 C
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 125 C
200
150
100
50
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
200
150
100
50
Common Emitter
V CE = 10V
o
o
0
0
1 2 3 4 5
6
0
0
2
4 6 8 10
12
T C = 25 C
T C = 125 C
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
o
16
50A
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
o
16
50A
12
8
30A
12
8
30A
I C = 20A
4
I C = 20A
4
0
0
4 8 12 16
20
0
0
4 8 12 16
20
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4536 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FGPF4633TU | 功能描述:IGBT 晶体管 330V PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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