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参数资料
| 型号： | FGPF4536 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 360V TO-220-3FP |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 360V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.8V @ 15V，50A |
| 功率 - 最大： | 28.4W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 8. Capacitance Characteristics
1.7
2400
Common Emitter
T C = 25 C
1.6
1.5
50A
2000
1600
V GE = 0V, f = 1MHz
o
C ies
1.4
30A
1200
1.3
800
1.2
C oes
1.1
Common Emitter
I C = 20A
400
C res
Case Temperature, T C [ C]
1.0
20
V GE = 15V
40
60 80 100 120
o
140
0
0.1
1 10
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
30
Figure 9. Gate charge Characteristics
15
Figure 10. SOA Characteristics
500
12
100
10 ? s
100 ? s
9
V CC = 100V
200V
10
1ms
10 ms
DC
6
1
Single Nonrepetitive
T C = 25 C
3
Common Emitter
o
0.1
Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
0
0
10
20 30
40
50
0.01
0.1
1 10 100
1000
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 11. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
100
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 12. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
1000
t f
t r
10
100
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
t d(on)
Common Emitter
V CC = 200V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
t d(off)
Common Emitter
V CC = 200V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
1
0
10
20
30
40
50
10
0
10
20
30
40
50
Gate Resistance, R G [ ? ]
Gate Resistance, R G [ ? ]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF4536 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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| FGPF4633TU | 功能描述:IGBT 晶体管 330V PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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