- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录430 > FGPF50N33BTTU (Fairchild Semiconductor)IGBT PDP 120A 330V TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGPF50N33BTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220F Package |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.5V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
November 2013
FGPF50N33BT
330 V PDP Trench IGBT
Features
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) =1.6 V @ I C = 50 A
? High Input Impedance
? RoHS Compliant
Applications
? PDP TV
General Description
Using novel trench IGBT technology, Fairchild's new series of
trench IGBTs offer the optimum performance for PDP TV appli-
cations where low conduction and switching losses are essen-
tial.
G C E
TO-220F
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
330
? 30
Unit
V
V
@ T C = 25 C
@ T C = 25 C
I C
I Cpulse (1)*
I Cpulse (2)*
P D
Collector Current
Pulsed Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
@ T C = 25 o C
@ T C = 25 o C
o
o
@ T C = 100 o C
50
120
160
43
17.2
A
A
A
W
W
T J
T stg
T L
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
-55 to +150
300
o
o
o
C
C
C
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
R ? JC (IGBT)
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
-
2.9
62.5
o
o
C / W
C / W
Notes:
1: Repetitive test , Pulse width=100usec , Duty=0.1
2: Half Sine Wave, D < 0.01, pluse width < 10usec
*Ic_pluse limited by max Tj
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF50N33BT Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGY75N60SMD | IGBT 600V 150A 750W POWER-247 |
| FLD00030 | IC AMBIENT LIGHT SENSOR 2-PLCC |
| FLS-2182-26-12.00-.30-RED | LAMP FLYING 5MM 26AWG 12"LD RED |
| FM200TU-07A | MOSFET MOD 6PAC HP 75V 100A |
| FM200TU-2A | MOSFET MOD 6PAC HP 100V 100A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGPF70N30 | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TRDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH 70V 300V PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 70A PDP IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。