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参数资料
| 型号： | FGPF50N33BTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220F Package |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.5V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
200
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 5 ?
Figure 14. Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
5000
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 5 ?
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
100
o
o
t r
1000
o
o
t f
100
10
t d(on)
t d(off)
5
10
20
30
40
50
10
10
20
30
40
50
Collector Current, I C [A]
Figure 15. Switching Loss vs. Gate Resistance
5000
Collector Current, I C [A]
Figure 16. Switching Loss vs. Collector Current
20000
T C = 25 C
Common Emitter
V CC = 200V, V GE = 15V
I C = 20A
10000
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 5 ?
o
T C = 25 C
T C = 125 C
1000
o
1000
o
E off
T C = 125 C
o
E off
100
100
E on
10
E on
10
0
10
20 30 40
50
1
10
20
30
40
50
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 17. Turn off Switching SOA Characteristics
200
100
10
Safe Operating Area
Collector Current, I C [A]
V GE = 15V, T C = 125 C
1
o
1
10
100
500
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF50N33BT Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FGPF70N30TDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TRDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH 70V 300V PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 70A PDP IGBT |
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