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参数资料
| 型号： | FGPF50N33BTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220F Package |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.5V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
Figure 8. Capacitance Characteristics
1500
Common Emitter
T C = 125 C
T C = 25 C
16
o
C ies
V GE = 0V, f = 1MHz
o
1000
12
8
4
30A
500
C oes
I C = 20A
50A
C res
0
0
4 8 12 16
20
0
1
10
30
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Gate charge Characteristics
15
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 10. SOA Characteristics
500
T C = 25 C
Common Emitter
o
100
10 ? s
12
100 ? s
9
6
V CC = 100V
200V
10
1
DC
Single Nonrepetitive
3
0.1
Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
0
0
10
20 30
40
0.01
0.1
1 10 100
400
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 11. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
100
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 12. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
4000
Common Emitter
V CC = 200V, V GE = 15V
T C = 25 C
T C = 125 C
t r
1000
I C = 20A
o
o
t f
10
t d(on)
Common Emitter
100
t d(off)
T C = 25 C
T C = 125 C
V CC = 200V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
1
0
10
20 30 40
50
10
0
10
20
30
40
50
Gate Resistance, R G [ ? ]
Gate Resistance, R G [ ? ]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF50N33BT Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGPF70N30 | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TRDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH 70V 300V PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 70A PDP IGBT |
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