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参数资料
型号： FGPF50N33BTTU
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 6/8页
文件大小： 0K
描述： IGBT PDP 120A 330V TO-220F
产品目录绘图： IGBT TO-220F Package
标准包装： 50
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 330V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 1.5V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 50A
功率 - 最大： 43W
输入类型： 标准
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220F
包装： 管件
Typical Performance Characteristics
Figure 18.Transient Thermal Impedance of IGBT
0.5
1
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF50N33BT Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FM200TU-2A MOSFET MOD 6PAC HP 100V 100A
相关代理商/技术参数
参数描述
FGPF70N30 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF70N30TDTU 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF70N30TRDTU 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH 70V 300V PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF70N30TTU 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF70N30TU 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 70A PDP IGBT
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