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参数资料
| 型号： | FGPF50N33BTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220F Package |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 330V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.5V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
160
o
20V
15V
160
o
20V
15V
12V
120
80
10V
120
80
12V
10V
40
V GE = 8V
40
V GE = 8V
0
0.0
1.5 3.0 4.5
6.0
0
0.0
1.5 3.0 4.5
6.0
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
160
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
160
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
120
80
40
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
120
80
40
Common Emitter
V CE = 20V
o
o
0
0
1 2 3 4
5
0
0
3 6 9 12
15
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = 25 C
2.0
1.8
1.6
Common Emitter
V GE = 15V
50A
20
16
Common Emitter
o
12
1.4
1.2
30A
I C = 20A
8
50A
1.0
4
30A
I C = 20A
Case Temperature, T C [ C]
0.8
25
50 75 100
o
125
0
0
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGPF50N33BT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
| FGPF70N30 | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TRDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH 70V 300V PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TTU | 功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGPF70N30TU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 70A PDP IGBT |
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