参数资料
型号: FMS6690MTC20
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 消费家电
英文描述: SOGC THICK FILM RESISTOR NETWORKS
中文描述: SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PDSO20
封装: LEAD FREE, TSSOP-20
文件页数: 12/12页
文件大小: 317K
代理商: FMS6690MTC20
FMS6690 Rev. 2B
9
www.fairchildsemi.com
FMS6690
Six
Channel,
6th
Or
der
SD/PS/HD
Video
Filter
Driver
Typical Application Diagram
The following circuit may be used for direct DC-coupled drive by DACs with an output voltage range of 0V to 1.4V. AC-coupled or DC-
coupled outputs may be used with AC-coupled outputs offering slightly lower power dissipation.
Figure 21. Typical Application Diagram
75
Ω
220uF
+5V
FAIRCHILD
FMS6690
20L TSSOP
SD IN1
20
19
18
16, 17
14
13
12
1
2
3
4
5
7
8
0.1
uF
75
Ω
75
Ω
220uF
75
Ω
75
Ω Video Cables
75
Ω
75
Ω Video Cables
75
Ω
Video
SoC
G/Y2
OUT
R/Pr
OUT
B/Pb
OUT
Y1
OUT
CV
OUT
C
OUT
DAC Load Resistors
AC-Coupling Caps
are Optional
DVD Player or STB
Y1
C
CV
Y2/G
Pb/B
Pr/R
F
cSEL
6
SD IN2
SD IN3A
SD IN3B
SD OUT1
SD OUT2
SD OUT3
GND
Vcc
PS/HD IN1
PS/HD IN2
PS/HD OUT1
PS/HD OUT2
PS/HD OUT3
PS/HD IN3
9
MUXSEL
15
75
Ω
75
Ω
75
Ω
220uF
75
Ω
75
Ω
75
Ω
10.0
uF
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PDF描述
FMS6G10US60 Compact & Complex Module
FN-LA1A MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK
FN-LA1B MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK
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FN-TA1B FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK
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参数描述
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FMS6G10US60 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: