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参数资料
| 型号： | FMS6G10US60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FMS6G10US60 |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
August 2005
FMS6G10US60
Compact & Complex Module
Features
Short Circuit Rated 10
s @ TC = 100°C, VGE = 15V
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 10A
High Input Impedance
Built-in 3 Phase Rectifier Circuit
Fast & Soft Anti-Parallel FWD
Built-in NTC Thermistor
Applications
AC & DC Motor Controls
General Purpose Inverters
Robotics
Servo Controls
UPS
Description
Fairchild IGBT Power Module provides low conduction and
switching losses as well as short circuit ruggedness. It’s
designed for the applications such as motor control and general
inverters where short-circuit ruggedness is required.
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NTC
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Internal Circuit Diagram
Package Code : 25PM-AA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FN-LA1A | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-LA1B | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-TA1A | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA1B | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA2A | FEMALE-FEMALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMS6G10US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G20US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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