参数资料
型号: FMS6G10US60
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: Compact & Complex Module
中文描述: 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: 25PM-AA, 25 PIN
文件页数: 6/10页
文件大小: 794K
代理商: FMS6G10US60
5
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Figure 3. Saturation Voltage vs. Case
Figure 4. Transient Thermal Impedance
Temperature at Variant Current Level
Figure 5. Saturation Voltage vs. VGE
Figure 6. Saturation Voltage vs. VGE
1
1 0
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
Common Emitter
V
GE = 15 V
T
C =
25℃℃℃
T
C = 125
------
C
o
l
e
c
t
o
r
C
u
r
e
n
t
,
IC
[
A
]
C o l l e c t o r - E m i t t e r V o l t a g e , V
C E
[ V ]
0
2
4
6
8
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
Common Emitter
T
C = 25
oC
V
G E
= 1 0 V
1 2 V
1 5 V
2 0 V
C
o
l
e
c
t
o
r
C
u
r
e
n
t
,
IC
[
A
]
C o l l e c t o r - E m i t t e r V o l t a g e , V
C E
[ V ]
- 5 0
0
5 0
1 0 0
1 5 0
1 . 0
1 . 5
2 . 0
2 . 5
3 . 0
3 . 5
4 . 0
Common Emitter
V
GE = 15 V
I
C
= 5 A
1 0 A
2 0 A
C
o
l
e
c
t
o
r
-
E
m
i
t
e
r
V
o
l
t
a
g
e
,
V
C
E
(
s
a
t
)
[
V
]
C a s e T e m p e r a t u r e , T
C
[ o C ]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
S i n g l e P u l s e
( T h e r m a l R e s p o n s e )
F R D
I G B T
Ther
mal
R
es
po
nse
,Zt
hj
c
[
/W
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
0
4
8
1 2
1 6
2 0
0
4
8
1 2
1 6
2 0
Common Emitter
T
C = 25
2 0 A
1 0 A
I
C
= 5 A
C
o
l
e
c
t
o
r
-
E
m
i
t
e
r
V
o
l
t
a
g
e
,
V
C
E
(
s
a
t
)
[
V
]
G a t e - E m i t t e r V o l t a g e , V
G E
[ V ]
0
4
8
1 2
1 6
2 0
0
4
8
1 2
1 6
2 0
Common Emitter
T
C = 125
2 0 A
1 0 A
I
C
= 5 A
C
o
l
e
c
t
o
r
-
E
m
i
t
e
r
V
o
l
t
a
g
e
,
V
C
E
(
s
a
t
)
[
V
]
G a t e - E m i t t e r V o l t a g e , V
G E
[ V ]
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FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G20US60 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G20US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 20A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: