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参数资料
| 型号： | FMS6G10US60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FMS6G10US60 |
3
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
Electrical Characteristics of IGBT @ Inverter T
C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BVCES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 250A
600
--
V
BVCES/
TJ
Temperature Coeff. of Breakdown
Voltage
VGE = 0V, IC = 1mA
--
0.6
--
V/
°C
ICES
Collector Cut-Off Current
VCE = VCES, VGE = 0V
--
250
A
IGES
Gate - Emitter Leakage Current
VGE = VGES, VCE = 0V
--
± 100
nA
On Characteristics
VGE(th)
Gate - Emitter Threshold Voltage
IC = 10mA, VCE = VGE
5.0
6.5
8.5
V
VCE(sat)
Collector to Emitter Saturation Voltage
IC = 10A, VGE = 15V
--
2.1
2.7
V
Dynamic Characteristics
Cies
Input Capacitance
VCE = 30V, VGE = 0V,
f = 1MHz
--
710
--
pF
Coes
Output Capacitance
--
57
--
pF
Cres
Reverse Transfer Capacitance
--
12
--
pF
Switching Characteristics
td(on)
Turn-On Delay Time
VCC = 300 V, IC = 10A,
RG = 20, VGE = 15V,
Inductive Load, TC = 25°C
--
65
130
ns
tr
Rise Time
--
65
130
ns
td(off)
Turn-Off Delay Time
--
80
160
ns
tf
Fall Time
--
100
200
ns
Eon
Turn-On Switching Loss
--
0.15
--
mJ
Eoff
Turn-Off Switching Loss
--
0.2
--
mJ
td(on)
Turn-On Delay Time
VCC = 300 V, IC = 10A,
RG = 20, VGE = 15V,
Inductive Load, TC = 125°C
--
70
140
ns
tr
Rise Time
--
60
120
ns
td(off)
Turn-Off Delay Time
--
90
180
ns
tf
Fall Time
--
200
350
ns
Eon
Turn-On Switching Loss
--
0.16
--
mJ
Eoff
Turn-Off Switching Loss
--
0.3
--
mJ
Tsc
Short Circuit Withstand Time
VCC = 300 V, VGE = 15V
@ TC = 100°C
10
--
s
Qg
Total Gate Charge
VCE = 300 V, IC = 10A,
VGE = 15V
--
35
50
nC
Qge
Gate-Emitter Charge
--
8
15
nC
Qgc
Gate-Collector Charge
--
12
20
nC
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