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参数资料
| 型号： | FMS6G10US60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FMS6G10US60 |
4
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
Electrical Characteristics of DIODE @ Inverter T
C = 25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE @ Converter T
C = 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
NTC Thermistor Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
VFM
Diode Forward Voltage
IF = 10A
TC = 25°C--
1.9
2.8
V
TC = 100°C--
2.0
--
trr
Diode Reverse Recovery Time
IF = 10A
di / dt = 20 A/
s
TC = 25°C
--
85
150
ns
TC = 100°C--
110
--
Irr
Diode Peak Reverse Recovery Current
TC = 25°C--
0.7
1.4
A
TC = 100°C--
1.0
--
Qrr
Diode Reverse Recovery Charge
TC = 25°C
--
30
105
nC
TC = 100°C--
55
--
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
VFM
Diode Forward Voltage
IF = 10A
TC = 25°C--
1.1
1.5
V
TC = 100°C--
1.0
--
IRRM
Repetitive Reverse Current
VR = VRRM
TC = 25°C--
--
8
mA
TC = 100°C--
5
--
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
Inverter
RθJC
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/6 Module)
--
1.9
°C/W
RθJC
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
--
2.9
°C/W
Converter
RθJC
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
--
2.5
°C/W
Weight
Weight of Module
60
--
g
Symbol
Parameter
Tol.
Typ.
Units
Thermistor
R25
Rated Resistance @ TC = 25°C
+/- 5 %
4.7
K
B(25/100)
B - Value
+/- 3 %
3530
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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