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参数资料
| 型号： | FMS6G10US60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FMS6G10US60 |
6
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Capacitance Characteristics
Figure 8. Turn-On Characteristics vs. Gate
Resistance
Figure 9. Turn-Off Characteristics vs.
Figure 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Gate Resistance
Figure 11. Turn-On Characteristics vs.
Figure 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
2 0
4 0
6 0
8 0
1 0 0
1 2 0
1 4 0
1 0 0
1 0 0 0
Common Emitter
V
CC = 300 V, VGE = ± 15 V
I
C = 10 A
T
C =
25℃℃℃
T
C = 125
------
℃
T r
T o n
S
w
i
t
c
h
i
n
g
T
i
m
e
[
n
s
]
G a t e R e s i s t a n c e , R
G
[
]
0 . 1
1
1 0
0
2 0 0
4 0 0
6 0 0
8 0 0
1 0 0 0
1 2 0 0
1 4 0 0
1 6 0 0
Common Emitter
V
GE = 0 V, f = 1 MHz
T
C = 25
oC
C r e s
C o e s
C i e s
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
[
p
F
]
C o l l e c t o r - E m i t t e r V o l t a g e , V
C E
[ V ]
2 0
4 0
6 0
8 0
1 0 0
1 2 0
1 4 0
1 0 0
1 0 0 0
Common Emitter
V
CC = 300 V, VGE = ± 15 V
I
C = 10 A
T
C =
25℃℃℃
T
C = 125
------
℃
T f
T o f f
T f
S
w
i
t
c
h
i
n
g
T
i
m
e
[
n
s
]
G a t e R e s i s t a n c e , R
G
[
]
2 0
4 0
6 0
8 0
1 0 0
1 2 0
1 4 0
1 0 0
1 0 0 0
Common Emitter
V
CC = 300 V, VGE = ± 15 V
I
C = 10 A
T
C =
25℃℃℃
T
C = 125
------
℃
E o f f
E o n
S
w
i
t
c
h
i
n
g
l
o
s
[
u
J
]
G a t e R e s i s t a n c e , R
G
[
]
5
1 0
1 5
2 0
1 0 0
1 0 0 0
Common Emitter
V
GE = ± 15 V, RG = 20
T
C =
25℃℃℃
T
C = 125
------
℃
T f
T o f f
T f
S
w
i
t
c
h
i
n
g
T
i
m
e
[
n
s
]
C o l l e c t o r C u r r e n t , I
C
[ A ]
5
1 0
1 5
2 0
1 0 0
1 0 0 0
Common Emitter
V
GE = ± 15 V, RG = 20
T
C =
25℃℃℃
T
C = 125
------
℃
T r
T o n
S
w
i
t
c
h
i
n
g
T
i
m
e
[
n
s
]
C o l l e c t o r C u r r e n t , I
C
[ A ]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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