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参数资料
| 型号： | FMS6G10US60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FMS6G10US60 |
7
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Switching Loss vs. Collector Current
Figure 14. Gate Charge Characteristics
Figure 15. SOA Characteristics
Figure 16. RBSOA Characteristics
Figure 17. Forward Characteristics
Figure 18. Reverse Recovery Characteristics
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
0
3
6
9
1 2
1 5
Common Emitter
R
L = 30
T
C = 25
oC
3 0 0 V
2 0 0 V
V
C C
= 1 0 0 V
G
a
t
e
-
E
m
i
t
e
r
V
o
l
t
a
g
e
,
V
G
E
[
V
]
G a t e C h a r g e , Q
g
[ n C ]
5
1 0
1 5
2 0
1 0 0
1 0 0 0
Common Emitter
V
GE = ± 15 V, RG = 20
T
C =
25℃℃℃
T
C = 125
------
℃
E o f f
E o n
S
w
i
t
c
h
i
n
g
L
o
s
[
u
J
]
C o l l e c t o r C u r r e n t , I
C
[ A ]
0
100
200
300
400
500
600
700
0.1
1
10
50
Single Nonrepetitive
Pulse T
J ≤
125℃
V
GE = 15V
R
G = 20
C
ollect
or
C
urren
t,I
C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE [V]
0 . 1
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
0 . 0 1
0 . 1
1
1 0
1 0 0
Single Nonrepetitive
Pulse T
C = 25℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
I
C MAX. (Continuous)
I
C MAX. (Pulsed)
DC Operation
1ms
100us
50us
C
o
l
e
c
t
o
r
C
u
r
e
n
t
,
I
C
[
A
]
C o l l e c t o r - E m i t t e r
V o l t a g e , V
C E
[ V ]
01
23
4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Common Cathode
V
GE = 0V
T
C =
25℃
T
C = 125℃
Fo
rw
ar
dC
urr
en
t,
I
F
[A
]
Forward Voltage, V
F [V]
2468
10
12
0.1
1
10
20
Common Cathode
di/dt = 20A/
T
C =
25℃
T
C = 100
---------
℃
I
rr
T
rr
P
ea
k
Re
ve
rs
e
R
ec
ov
ery
Cu
rre
nt,
I
r
r[A
]
R
ever
se
R
ecover
y
T
im
e,
T
r
r[x
10
ns
]
Forward Current, I
F [A]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FN-LA1A | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-LA1B | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
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| FN-TA1B | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA2A | FEMALE-FEMALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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