- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录173109 > FMS6G10US60 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Compact & Complex Module PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FMS6G10US60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FMS6G10US60 |
8
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 19. Rectifier (Converter) Characteristics
Figure 20. Rectifier (Converter) Characteristics
Figure 21. NTC Characteristics
0
4 0 0
8 0 0
1 2 0 0
1 6 0 0
1 E - 3
0 . 0 1
0 . 1
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
T
C
= 1 2 5 o C
2 5 o C
R
e
v
e
r
s
e
C
u
r
e
n
t
,
IR
[
u
A
]
R e v e r s e V o l t a g e , V
R
[ V ]
0 . 4
0 . 6
0 . 8
1 . 0
1 . 2
1 . 4
0 . 1
1
1 0
1 0 0
2 5 o C
T
C
= 1 2 5 o C
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
e
n
t
,
IF
[
A
]
I n s t a n t a n e o u s V o l t a g e , V
F
[ V ]
0
2 5
5 0
7 5
1 0 0
1 2 5
0
4
8
1 2
1 6
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
,
R
[
K
]
T e m p e r a t u r e , T [ o C ]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FN-LA1A | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-LA1B | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-TA1A | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA1B | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA2A | FEMALE-FEMALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMS6G10US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G20US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。