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参数资料
| 型号： | FMS6G10US60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 25PM-AA, 25 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | FMS6G10US60 |
2
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
Absolute Maximum Ratings T
C = 25°C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Package Marking and Ordering Information
(2) TMC2 Relibility test was done under -45
°C ~ 125°C
Symbol
Description
FMS6G10US60
Units
Inverter
VCES
Collector-Emitter Voltage
600
V
VGES
Gate-Emitter Voltage
± 20
V
IC
Collector Current
@ TC = 80°C10
A
ICM (1)
Pulsed Collector Current
20
A
IF
Diode Continuous Forward Current
@ TC = 80°C10
A
IFM
Diode Maximum Forward Current
20
A
PD
Maximum Power Dissipation
@ TC = 25°C66
W
TSC
Short Circuit Withstand Time
@ TC = 100°C10
s
Converter
VRRM
Repetitive Peak Reverse Voltage
1600
V
IO
Average Output Rectified Current
10
A
IFSM
Surge Forward Current
@ 1Cycle at 60Hz, Peak value Non-Repetitive
100
A
I2t
Energy pulse @ 1Cycle at 60Hz
42
A2s
Common
TJ
Operating Junction Temperature
-40 to +150
°C
TSTG
Storage Temperature Range
-40 to +125
°C
VISO
Isolation Voltage
@ AC 1minute
2500
V
Mounting Torque
Mounting part Screw
@ M4
2.0
Nm
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FMS6G10US60
25PM-AA
--
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FN-LA1A | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-LA1B | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-TA1A | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA1B | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA2A | FEMALE-FEMALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMS6G10US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G20US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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