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参数资料
| 型号： | FMS6690MTC20 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 消费家电 |
| 英文描述： | SOGC THICK FILM RESISTOR NETWORKS |
| 中文描述： | SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PDSO20 |
| 封装： | LEAD FREE, TSSOP-20 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | FMS6690MTC20 |
www.fairchildsemi.com
6
FMS6690 Rev. 2B
FMS6690
Six
Channel,
6th
Or
der
SD/PS/HD
Video
Filter
Driver
Typical Performance Characteristics
Tc = 25C, Vin = 1Vpp, VCC = 5V, Rsource = 37.5, inputs AC coupled with 0.1F, all outputs AC coupled with
220F into 150 loads; unless otherwise noted.
Figure 11. HD Group Delay vs. Frequency
70
Group
Dela
y
(ns)
400kHz 1
2345
6
7
8
9
10
Frequency (MHz)
60
50
40
30
20
10
0
1.0
0.5
0
Diff
erential
Gain
(%)
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
-1.0
NTSC
Min = 0.05
Max = 0.59
ppmax = 0.63
0
35
Group
Dela
y
(ns)
400kHz 2
18
Frequency (MHz)
30
25
20
15
10
5
468
10
12
14
16
20
1.0
0
-1.0
Diff
erential
Phase
(Deg)
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
-2.0
NTSC
Min = 0.00
Max = 1.00
ppmax = 1.00
25
20
15
10
5
Group
Dela
y
(ns)
400kHz 510
15
2025
30
35
40
45
Frequency (MHz)
0
Figure 7. SD Group Delay vs. Frequency
Figure 8. Noise vs. Frequency
Figure 9. PS Group Delay vs. Frequency
Figure 10. SD Differential Gain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMS6G10US60 | Compact & Complex Module |
| FN-LA1A | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-LA1B | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-TA1A | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA1B | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMS6690MTC20X | 功能描述:视频 IC Ang fg 6Chnl6thOrd SD/PS/HD VidFltrDrvr RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 工作电源电压:5 V 电源电流:80 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TSSOP-28 封装:Reel |
| FMS6G10US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G10US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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