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参数资料
| 型号： | FMS6690MTC20 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 消费家电 |
| 英文描述： | SOGC THICK FILM RESISTOR NETWORKS |
| 中文描述： | SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PDSO20 |
| 封装： | LEAD FREE, TSSOP-20 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | FMS6690MTC20 |
FMS6690 Rev. 2B
5
www.fairchildsemi.com
FMS6690
Six
Channel,
6th
Or
der
SD/PS/HD
Video
Filter
Driver
Typical Performance Characteristics
Tc = 25C, Vin = 1Vpp, VCC = 5V, Rsource = 37.5, inputs AC coupled with 0.1F, all outputs AC coupled with
220F into 150 loads; unless otherwise noted.
Figure 5. HD Gain vs. Frequency
Figure 6. HD Flatness vs. Frequency
5
-5
-15
-25
-35
0
-10
-20
-30
-40
-45
Nor
maliz
ed
Gain
(dB)
400kHz
5
10
15
20
25
30
Frequency (MHz)
-50
0.35
Nor
maliz
ed
Gain
(dB)
400kHz
6
Frequency (MHz)
-0.15
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
-0.05
-0.10
12
3
4
5
-30
-40
-50
-60
-70
-80
PSRR
(dB)
0.1
1
10
30
Frequency (MHz)
-90
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
PSRR
(dB)
0.1
1
10
30
Frequency (MHz)
-90
Using 0.1F and 0.01F
Bypass Capacitors as suggested
0.8
Nor
maliz
ed
Gain
(dB)
400kHz
14
Frequency (MHz)
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
Nor
maliz
ed
Gain
(dB)
400kHz
10
20
30
40
50
60
Frequency (MHz)
-45
24
6
810
12
-0.1
1.0
Nor
maliz
ed
Gain
(dB)
400kHz
30
Frequency (MHz)
0.3
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
Nor
maliz
ed
Gain
(dB)
400kHz 10
20
30
40
50
60
70
80
Frequency (MHz)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
-40
510
15
20
25
0.2
0.1
0
Figure 3. PS Gain vs. Frequency
Figure 4. PS Flatness vs. Frequency
Figure 1. SD Gain vs. Frequency
Figure 2. SD Flatness vs. Frequency
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMS6G10US60 | Compact & Complex Module |
| FN-LA1A | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-LA1B | MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK |
| FN-TA1A | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
| FN-TA1B | FEMALE-MALE-FEMALE, RF TEE ADAPTER, JACK-PLUG-JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMS6690MTC20X | 功能描述:视频 IC Ang fg 6Chnl6thOrd SD/PS/HD VidFltrDrvr RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 工作电源电压:5 V 电源电流:80 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TSSOP-28 封装:Reel |
| FMS6G10US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G10US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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