参数资料
型号: FOD3182
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 10/23页
文件大小: 0K
描述: OPTO IGBT GATE DVR 3A 8DIP
标准包装: 50
电压 - 隔离: 5000Vrms
通道数: 1,单向
电流 - 输出 / 通道: 3A
传输延迟高 - 低 @ 如果: 145ns @ 10mA
电流 - DC 正向(If): 25mA
输入类型: DC
输出类型: 栅极驱动器
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.260",6.60mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
Typical Performance Curves (Continued)
Fig. 13 Propagation Delay vs. LED Forward Current
250
Fig. 14 Propagation Delay vs. Ambient Temperature
450
200
150
V DD = 15V to 30V
T A = 25°C
R G = 10?
C G = 10nF
Duty Cycle = 50%
Frequency = 250kHz
350
250
I F = 10mA to 16mA
V DD = 15V to 30V
R G = 10?
C G = 10nF
Duty Cycle = 50%
Frequency = 250kHz
t PHL
100
50
t PLH
150
50
t PHL
t PLH
6
8
10
12
14
18
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I F – FORWARD LED CURRENT (mA)
Fig. 15 Propagation Delay vs. Series Load Resistance
T A – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 16 Propagation Delay vs. Series Load Capacitance
450
I F = 10mA to 16mA
V DD = 15V to 30V
C G = 10nF
Duty Cycle = 50%
450
I F = 10mA to 16mA
V DD = 15V to 30V
R G = 10?
Duty Cycle = 50%
350
250
Frequency = 250kHz
350
250
Frequency = 250kHz
150
t PHL
150
t PHL
50
t PLH
50
t PLH
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
35
R G – SERIES LOAD RESISTANCE (?)
Fig. 17 Transfer Characteristics
C G – SERIES LOAD CAPACITANCE (nF)
Fig. 18 Input Forward Current vs. Forward Voltage
100
V DD = 30V
T A = 25°C
30
10
25
20
1
15
0.1
T A =100°C
25°C
-40°C
10
0.01
5
0
0.001
0
1
2
3
4
5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I F – FORWARD LED CURRENT (mA)
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3182 Rev. 1.0.9
10
V R – FORWARE VOLTAGE (V)
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
L063S102LF RES ARRAY 1K OHM 3 RES 6-SIP
1-1879469-0 RES 5.6 OHM 150W 5% WW WIRE
FOD3150TSR2V OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP
EN4SD603616LG BOX STEEL 60X36X16" GREY
1418N4ALE6 BOX ALUM 24X20X6" NAT
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参数描述
FOD3182S 功能描述:功率驱动器IC 3A Out Hi Spd MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FOD3182SD 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182SDV 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182SV 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182TSR2 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube