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参数资料
| 型号： | FOD3182 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 22/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO IGBT GATE DVR 3A 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 145ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 25mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.260"，6.60mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
Re?ow Pro?le
Max. Ramp-up Rate = 3°C/S
260
240
220
T P
T L
Max. Ramp-down Rate = 6°C/S
t P
200
180
Tsmax
Preheat Area
t L
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Tsmin
t s
120
240
360
Time 25°C to Peak
Time (seconds)
Pro?le Freature
Temperature Min. (Tsmin)
Temperature Max. (Tsmax)
Time (t S ) from (Tsmin to Tsmax)
Ramp-up Rate (t L to t P )
Liquidous Temperature (T L )
Time (t L ) Maintained Above (T L )
Peak Body Package Temperature
Time (t P ) within 5°C of 260°C
Ramp-down Rate (T P to T L )
Time 25°C to Peak Temperature
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3182 Rev. 1.0.9
22
Pb-Free Assembly Pro?le
150°C
200°C
60–120 seconds
3°C/second max.
217°C
60–150 seconds
260°C +0°C / –5°C
30 seconds
6°C/second max.
8 minutes max.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L063S102LF | RES ARRAY 1K OHM 3 RES 6-SIP |
| 1-1879469-0 | RES 5.6 OHM 150W 5% WW WIRE |
| FOD3150TSR2V | OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP |
| EN4SD603616LG | BOX STEEL 60X36X16" GREY |
| 1418N4ALE6 | BOX ALUM 24X20X6" NAT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD3182S | 功能描述:功率驱动器IC 3A Out Hi Spd MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FOD3182SD | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SDV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182TSR2 | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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