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参数资料
| 型号： | FOD3182 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 5/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO IGBT GATE DVR 3A 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 145ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 25mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.260"，6.60mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
Electrical-Optical Characteristics (DC)
Apply over all recommended conditions, typical value is measured at V DD = 30V, V SS = 0V, T A = 25°C,
unless otherwise speci?ed.
Symbol
I OH
Parameter
High Level Output Current
Test Conditions
V OH = (V DD – V SS – 1V)
Min.
0.5
Typ.
0.9
Max.
Unit
A
V OH = (V DD – V SS – 6V)
2.5
I OL
Low Level Output Current
V OL = (V DD – V SS + 1V)
0.5
1
A
V OL = (V DD – V SS + 6V)
2.5
V OH
V OL
High Level
Low Level
Output Voltage (5)(6)
Output Voltage (5)(6)
I O = -100mA
I O = 100mA
V DD – 0.5
V SS + 0.5
V
V
I DDH
High Level Supply Current
Output Open,
2.6
4.0
mA
I F = 10 to 16mA
I DDL
Low Level Supply Current
Output Open,
2.5
4.0
mA
V F = -3.0 to 0.8V
I FLH
Threshold Input Current Low to
I O = 0mA, V O > 5V
3.0
7.5
mA
High
V FHL
Threshold Input Voltage High to Low I O = 0mA, V O < 5V
0.8
V
V F
? V F / T A
Input Forward Voltage
Temperature Coef?cient of Forward
I F = 10mA
I F = 10mA
1.1
1.43
-1.5
1.8
V
mV/°C
Voltage
V UVLO+
V UVLO–
UVLO Threshold
V O > 5V, I F = 10mA
V O < 5V, I F = 10mA
7
6.5
8.3
7.7
9
8.5
V
V
UVLO HYST UVLO Hysteresis
0.6
V
BV R
C IN
Input Reverse Breakdown Voltage
Input Capacitance
I R = 10μA
f = 1MHz, V F = 0V
5
25
V
pF
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3182 Rev. 1.0.9
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L063S102LF | RES ARRAY 1K OHM 3 RES 6-SIP |
| 1-1879469-0 | RES 5.6 OHM 150W 5% WW WIRE |
| FOD3150TSR2V | OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP |
| EN4SD603616LG | BOX STEEL 60X36X16" GREY |
| 1418N4ALE6 | BOX ALUM 24X20X6" NAT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD3182S | 功能描述:功率驱动器IC 3A Out Hi Spd MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FOD3182SD | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SDV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182TSR2 | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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