参数资料
型号: FOD3182
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 19/23页
文件大小: 0K
描述: OPTO IGBT GATE DVR 3A 8DIP
标准包装: 50
电压 - 隔离: 5000Vrms
通道数: 1,单向
电流 - 输出 / 通道: 3A
传输延迟高 - 低 @ 如果: 145ns @ 10mA
电流 - DC 正向(If): 25mA
输入类型: DC
输出类型: 栅极驱动器
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.260",6.60mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
Ordering Information
Part Number
FOD3182
FOD3182S
FOD3182SD
FOD3182V
FOD3182SV
FOD3182SDV
FOD3182TV
FOD3182TSV
FOD3182TSR2
Package
DIP 8-Pin
SMT 8-Pin (Lead Bend)
SMT 8-Pin (Lead Bend)
DIP 8-Pin, IEC60747-5-2 option
SMT 8-Pin (Lead Bend), DIN EN/IEC 60747-5-2 option
SMT 8-Pin (Lead Bend), DIN EN/IEC 60747-5-2 option
DIP 8-Pin, 0.4” Lead Spacing, DIN EN/IEC 60747-5-2 option
SMT 8-Pin, 0.4” Lead Spacing, DIN EN/IEC 60747-5-2 option
SMT 8-Pin, 0.4” Lead Spacing
Packing Method
Tube (50 units per tube)
Tube (50 units per tube)
Tape and Reel (1,000 units per reel)
Tube (50 units per tube)
Tube (50 units per tube)
Tape and Reel (1,000 units per reel)
Tube (50 units per tube)
Tube (50 units per tube)
Tape and Reel (700 units per reel)
FOD3182TSR2V SMT 8-Pin, 0.4” Lead Spacing, DIN EN/IEC 60747-5-2 option
Tape and Reel (700 units per reel)
Marking Information
1
3182
2
V
XX YY B
6
De?nitions
3
4
5
1
2
3
4
5
6
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3182 Rev. 1.0.9
Fairchild logo
Device number
VDE mark (Note: Only appears on parts ordered with
DIN EN/IEC 60747-5-2 option – See order entry table)
Two digit year code, e.g., ‘11’
Two digit work week ranging from ‘01’ to ‘53’
Assembly package code
19
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FOD3182S 功能描述:功率驱动器IC 3A Out Hi Spd MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FOD3182SD 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182SDV 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182SV 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182TSR2 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube