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参数资料
| 型号： | FOD3182 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO IGBT GATE DVR 3A 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 145ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 25mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.260"，6.60mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
Safety and Insulation Ratings
As per DIN EN/IEC 60747-5-2. This optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety
limit data. Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Installation Classi?cations per DIN VDE 0110/1.89 Table 1
For Rated Mains Voltage < 150Vrms
For Rated Mains Voltage < 300Vrms
For Rated Mains Voltage < 450Vrms
For Rated Mains Voltage < 600Vrms
For Rated Mains Voltage < 1000Vrms (Option T, TS)
Climatic Classi?cation
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
I–IV
I–IV
I–III
I–III
I–III
40/100/21
2
CTI
V PR
Comparative Tracking Index
Input to Output Test Voltage, Method b,
V IORM x 1.875 = V PR , 100% Production Test with
tm = 1 sec., Partial Discharge < 5pC
Input to Output Test Voltage, Method a,
V IORM x 1.5 = V PR , Type and Sample Test with
tm = 60 sec.,Partial Discharge < 5 pC
175
2651
2121
V IORM
V IOTM
Max Working Insulation Voltage
Highest Allowable Over Voltage
External Creepage
External Clearance
External Clearance (for Option T or TS - 0.4” Lead Spacing)
Insulation Thickness
1,414
6000
8
7.4
10.16
0.5
V peak
V peak
mm
mm
mm
mm
Safety Limit Values – Maximum Values Allowed in the
Event of a Failure
T Case
I S,INPUT
P S,OUTPUT
R IO
Case Temperature
Input Current
Output Power (Duty Factor ≤ 2.7%)
Insulation Resistance at T S , V IO = 500V
150
25
250
10 9
°C
mA
mW
?
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3182 Rev. 1.0.9
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L063S102LF | RES ARRAY 1K OHM 3 RES 6-SIP |
| 1-1879469-0 | RES 5.6 OHM 150W 5% WW WIRE |
| FOD3150TSR2V | OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP |
| EN4SD603616LG | BOX STEEL 60X36X16" GREY |
| 1418N4ALE6 | BOX ALUM 24X20X6" NAT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD3182S | 功能描述:功率驱动器IC 3A Out Hi Spd MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FOD3182SD | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SDV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182TSR2 | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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