型号: | FQA13N80_F109 |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
标准包装: | 30 |
系列: | QFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 750 毫欧 @ 6.3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 88nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3500pF @ 25V |
功率 - 最大: | 300W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商设备封装: | TO-3PN |
包装: | 管件 |
其它名称: | FQA13N80_F109-ND FQA13N80_F109FS |