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参数资料
| 型号： | FQA13N80_F109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 6.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQA13N80_F109-ND FQA13N80_F109FS |
!
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
10
10
1
6.5 V
6.0 V
1
150 C
Bottom : 5.5 V
o
10
10
25 C
-55 C
0
※ Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
o
o
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250μs Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.5
V GS = 10V
1.2
V GS = 20V
0.9
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
1
0
0.6
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
5000
4500
4000
3500
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 160V
V DS = 400V
V DS = 640V
3000
2500
2000
1500
1000
500
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = 12.6 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
20
30
40
50
6 0
70
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA13N80_F109 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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