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参数资料
| 型号： | FQA90N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 214W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FQ A90N08
Device
FQA90N08
Package
TO-3PN
Reel Size
-
Tape Width
-
Quantity
30
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS Drain-Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
80
--
--
V
Δ BV DSS
/ Δ T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 100 V, V GS = 0 V
V DS = 80 V, T C = 150°C
V GS = 25 V, V DS = 0 V
V GS = -25 V, V DS = 0 V
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
--
4.0
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 45 A
V DS = 30 V, I D = 45 A
--
--
0.012
52
0.016
--
Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
2500
900
200
3250
1170
260
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
t f Turn-Off Fall Time
V DD = 40 V, I D = 90 A,
R G = 25 Ω
(Note 4)
--
--
--
--
30
360
100
160
70
730
210
330
ns
ns
ns
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 64 V, I D = 90 A,
V GS = 10 V
( Note 4)
--
--
--
84
17
42
110
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
90
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
360
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 90 A
V GS = 0 V, I S = 90 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
87
265
1.5
--
--
V
ns
nC
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 0.23mH, I AS = 90A, V DD = 25V, R G = 25 Ω, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 90A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Essentially independent of operating temperature
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA90N08 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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