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参数资料
| 型号： | FQB22P10TM_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB22P10TM_F085DKR |
Typical Characteristics
10
10
10
10
1
0
V GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
1
0
175 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
1
-1
2
4
6
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
8
10
10
0.5
0.4
0.3
0.2
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = - 10V
V GS = - 20V
1
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0
175 ℃ 25 ℃
0.1
※ Note : T J = 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
10
20
30
40 50 60
-I D , Drain Current [A]
70
80
90
100
-1
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
2.2
2.4
2.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
3500
3000
2500
2000
1500
C iss
C oss
C rss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
12
10
8
6
4
V DS = -20V
V DS = -50V
V DS = -80V
1000
500
2
※ Note : I D = -22 A
10
10
10
0
-1
0 1
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
10
20 30
Q G , Total Gate Charge [nC]
40
50
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
FQB22P10TM_F085 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB22P10TM | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
| FQB25N33TM_F085 | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK |
| FQB27N25TM_AM002 | MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK |
| FQB30N06LTM | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK |
| FQB33N10LTM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQB24N08TM | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB25N33 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V N-Channel MOSFET |
| FQB25N33TM | 功能描述:MOSFET 330V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB25N33TM_F085 | 功能描述:MOSFET 330V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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