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参数资料
| 型号： | FQB22P10TM_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB22P10TM_F085DKR |
Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
-10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
-3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V DS
R L
t on
t off
R G
V GS
V DD
V GS
10%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-10V
DUT
V DS
90%
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = L I AS2 --------------------
----
V DS
L
1
2 BV DSS - V DD
I D
t p
Time
-10V
t p
FQB22P10TM_F085 Rev. A
R G
DUT
V DD
5
V DD
I AS
BV DSS
I D (t)
V DS (t)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB22P10TM | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
| FQB25N33TM_F085 | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK |
| FQB27N25TM_AM002 | MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK |
| FQB30N06LTM | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK |
| FQB33N10LTM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQB24N08TM | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB25N33 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V N-Channel MOSFET |
| FQB25N33TM | 功能描述:MOSFET 330V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB25N33TM_F085 | 功能描述:MOSFET 330V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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