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参数资料
| 型号： | FQB30N06LTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB30N06LTMDKR |
Typical Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
10.0 V
2
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
10
10
1
1
175 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1
0
0
2
4 6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
8
10
10
80
60
Figure 1. On-Region Characteristics
2
Figure 2. Transfer Characteristics
10
40
20
V GS = 5V
V GS = 10V
1
10
25 ℃
0
0
2 0
40 6 0 80
I D , Drain Current [A]
※ Note : T J = 25 ℃
100
120
0
0.4
175 ℃
0.6
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.8 1.0 1.2 1.4
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
2000
1500
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 30V
V DS = 48V
※ Notes :
1000
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
500
2
※ Note : I D = 32A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
5
10 15 20
Q G , Total Gate Charge [nC]
25
30
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB30N06L Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB33N10LTM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| FQB33N10TM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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