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参数资料
| 型号： | FQB30N06LTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB30N06LTMDKR |
Typical Characteristics
1.2
1.1
(Continued)
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 16 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
40
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
100 μ s
30
1 ms
DC
10 ms
20
10
1
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
10
10
10
0
10
-1
10
0
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
10
0
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N otes :
1 . Z θ J C ( t ) = 1 . 9 0 ℃ /W M a x .
2 . D u t y F a c t o r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB30N06L Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB33N10LTM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| FQB33N10TM | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FQB32N12V2 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET |
| FQB32N12V2TM | 功能描述:MOSFET 120V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQB32N20CTM | 功能描述:MOSFET NCH/200V 32A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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