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参数资料
| 型号： | FQD2N80TM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
0
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
150 C
0
o
10
25 C
-1
o
10
-55 C
-2
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
o
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
8
V GS = 20V
10
0
6
4
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
2
0
1
2
3
4
5
6
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
700
600
500
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 160V
V DS = 400V
V DS = 640V
400
300
200
100
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2.. f 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = 2.4A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 9 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N80 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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