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参数资料
| 型号： | FQH8N100C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.45 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
150 C
10
10
25 C
1
0
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
0
o
o
-55 C
o
10
-1
※ Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250μs Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
V GS = 10V
2.0
1.5
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
1
0
1.0
V GS = 20V
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μs Pulse Test
10
0.5
0
5
10
15
20
25
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
C iss
C oss
C rss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
12
10
8
6
4
2
V DS = 200V
V DS = 500V
V DS = 800V
※ Note : I D = 8A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
20
30
4 0
50
6 0
70
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQH8N100C Rev C 0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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