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参数资料
| 型号： | FQH8N100C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.45 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
(Continued)
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μA
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 4 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
8
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
1 ms
10 ms
DC
10 μ s
100 μ s
6
4
2
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
T C , Case Temperature [ ℃ ]
10
0
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C (t) = 0 .5 6 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
P DM
10
- 2
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
?20 0 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQH8N100C Rev C 0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQH90N15 | MOSFET N-CH 150V 90A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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