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参数资料
| 型号： | FQI19N20CTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
10
10
150 C
1
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
1
o
Bottom : 4.5 V
25 C
-55 C
10
0
o
o
10
0
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
※ Notes :
10
10
10
10
-1
0
2. T C = 25 ℃
1
-1
2
4
6
1. V DS = 40V
2. 250μ s Pulse Test
8
10
10
0.8
0.6
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
V GS = 10V
10
0.2
V GS = 20V
0
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
※ Note : T J = 25 ℃
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.0
0
1 0
20
3 0
4 0
5 0
60
-1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
3000
2500
2000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
C iss
1500
1000
C oss
C rss
6
4
500
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 19.0A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
20
3 0
40
50
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 4 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB19N20C Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI19N20TU | MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK |
| FQI1P50TU | MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK |
| FQI27N25TU_F085 | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| FQI27P06TU | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK |
| FQI34P10TU | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI19N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N_Channel MOSFET |
| FQI19N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI19N20TU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI1N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQI1P50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET |
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