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参数资料
| 型号： | FQI1P50TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 欧姆 @ 750mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
V GS
10
0
Top :
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
10
10
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
0
150 ℃
-1
25 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
16
14
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = - 10V
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
12
10
V GS = - 20V
0
8
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
6
0
1
2
4
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
600
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
12
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
C rss = C gd
10
V DS = -100V
V DS = -250V
400
300
C iss
8
6
V DS = -400V
C oss
200
※ Notes :
1. V GS = 0 V
4
100
C rss
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = -1.5 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
6
8
10
12
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB 1P50 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
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