- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录433 > FQI1P50TU (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQI1P50TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 欧姆 @ 750mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
2.5
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
0.8
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = -250 μ A
0.5
0.0
※ Notes :
1. V GS = -10 V
2. I D = -0.75 A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
1.5
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
1
is Limited by R DS(on)
1.2
1 ms
100 μ s
10
0
10 ms
0.9
10
DC
0.6
-1
※ Notes :
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
o
o
3. Single Pulse
0.3
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
0.0
25
50
75
100
125
150
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t) = 1 .9 8 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T JM - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P DM
10
-2
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB 1P50 Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI27N25TU_F085 | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| FQI27P06TU | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK |
| FQI34P10TU | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
| FQI47P06TU | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
| FQI50N06LTU | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI20N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQI20N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI22N30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263 |
| FQI22N30TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI22P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。