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参数资料
| 型号： | FQI50N06LTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 26.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Top :
V GS
10.0 V
10
10
10
10
2
1
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
2
1
175 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
10
60
50
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
V GS = 10V
40
V GS = 5V
30
1
20
10
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0
10
0
25
50
75 100 125
I D , Drain Current [A]
150
175
200
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.4
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
4000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
3000
8
V DS = 30V
V DS = 48V
2000
C oss
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
1000
C rss
2
0
※ Note : I D = 52.4A
0
0
10
20
30
4 0
50
10
10
10
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB50N06L Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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