参数资料
型号: FQI50N06LTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 52.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 21 毫欧 @ 26.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 25V
功率 - 最大: 3.75W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: I2PAK
包装: 管件
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB50N06L Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FQI50N06TU 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQI55N06 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQI55N10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET
FQI58N08 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 57.5A I(D) | TO-262AA
FQI5N15 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET