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参数资料
| 型号： | FQL40N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
15 V
10 V
2
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
10
Bottom : 5.5 V
1
150 ℃
10
10
1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
0.4
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
0.3
V GS = 10V
10
0.2
V GS = 20V
1
10
0.1
0
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
※ Note : T J = 25 ℃
1. V GS = 0 V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
30
60
90
120
150
180
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
12000
10000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 100V
V DS = 250V
8000
6000
C iss
C oss
8
6
V DS = 400V
4000
2000
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2.. f 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 40 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
30
60
90
120
150
180
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQL40N50 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
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