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参数资料
| 型号： | FQPF45N15V2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 22.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3030pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 66W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF45N15V2-ND FQPF45N15V2FS |
!
10
10
175 C
2
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
2
o
10
25 C
-55 C
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
1
o
o
10
10
1
0
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250μs Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
8
10
10
0.14
0.12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.10
0.08
V GS = 10V
1
10
0.06
V GS = 20V
0
175 ℃
25 ℃
0.04
※ Note : T J = 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.02
0
20
40
60 80 100 120
I D , Drain Current [A]
140
160
180
-1
0. 2
0.4
0.6 0. 8 1. 0 1. 2
V SD , Source-Drain voltage [V]
1. 4
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
6000
12
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
5000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 30V
V DS = 75V
4000
3000
C iss
C oss
8
6
V DS = 120V
2000
※ Notes ;
4
1000
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 45A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
2 0
30
4 0
5 0
60
7 0
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP45N15V2 / FQPF45N15V2 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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