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参数资料
| 型号： | FQT13N06LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT13N06LTFDKR |
Typical Characteristics
10
10
1
Top :
V GS
10.0 V
1
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
10
0
150 ℃
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
0
2
4
6
8
10
10
250
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
200
V GS = 5V
150
V GS = 10V
0
100
50
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0
10
20
30
40
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
800
600
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 30V
V DS = 48V
※ Notes :
400
1. V GS = 0 V
2. F = 1 MHz
6
C iss
4
200
C oss
2
C rss
※ Note : I D = 13.6A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
?20 0 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQ T13N06 L Rev. C0
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT13N06TF | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| FQT1N60CTF_WS | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 |
| FQT3P20TF_SB82100 | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4 |
| FQT4N20LTF | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 |
| FQT4N25TF | MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQT13N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
| FQT1N60CTF_WS | 功能描述:MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT1N60CTF-WS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
| FQT1N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
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