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参数资料
| 型号： | FQT13N06LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT13N06LTFDKR |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
2.5
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
※ Note :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Note :
1. V GS = 10 V
2. I D = 1.4 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
3.0
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
1
is Limited by R DS(on)
100 μ s
2.5
1 ms
10 ms
2.0
10
0
100 ms
1.5
DC
1.0
10
-1
※ Notes :
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
o
o
3. Single Pulse
0.5
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
2
0.0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
10
2
D = 0 .5
10
1
0 .2
0 .1
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t ) = 6 0 ℃ / W M a x .
2 . D u t y F a c to r , D = t 1 / t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
0 .0 5
0 .0 2
10
0
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?20 0 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQ T13N06 L Rev. C0
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT13N06TF | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| FQT1N60CTF_WS | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 |
| FQT3P20TF_SB82100 | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4 |
| FQT4N20LTF | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 |
| FQT4N25TF | MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQT13N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
| FQT1N60CTF_WS | 功能描述:MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT1N60CTF-WS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
| FQT1N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
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