参数资料
型号: FQT13N06LTF
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 1.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 2.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223-4
包装: 标准包装
其它名称: FQT13N06LTFDKR
Gate Charge Test Circuit & Waveform
V GS
50K Ω
Same Type
as DUT
Q g
12V
200nF
300nF
5V
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V DS
R L
V DS
90%
V DD
R G
( 0.5 rated V DS )
5V
DUT
V in
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
BV DSS
E AS = L L I AS2 --------------------
----
BV DSS -- V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
10V
DUT
V DD
V DS (t)
?20 0 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQ T13N06 L Rev. C0
t p
Time
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
FQT13N06TF MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
FQT1N60CTF_WS MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
FQT3P20TF_SB82100 MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
FQT4N20LTF MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
FQT4N25TF MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
相关代理商/技术参数
参数描述
FQT13N06TF 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQT1N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
FQT1N60CTF_WS 功能描述:MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQT1N60CTF-WS 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
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