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参数资料
| 型号： | FSB52006S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA |
| 标准包装： | 450 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | FET |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 2.6A |
| 电压： | 60V |
| 电压 - 隔离： | 1500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM23BA |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
Absolute Maximum Ratings
Inverter Part (each MOSFET unless otherwise specified.)
Symbol
V DSS
*I D 25
*I D 80
Parameter
Drain-Source Voltage of Each MOSFET
Each MOSFET Drain Current, Continuous T C = 25°C
Each MOSFET Drain Current, Continuous T C = 80°C
Conditions
Rating
60
2.6
1.3
Unit
V
A
A
*I DP
*P D
Each MOSFET Drain Current, Peak
Maximum Power Dissipation
T C = 25°C, PW < 100 ? s
T C = 25°C, For Each MOSFET
5.0
11
A
W
Control Part (each HVIC unless otherwise specified.)
Symbol
V CC
V BS
V IN
Parameter
Control Supply Voltage
High-side Bias Voltage
Input Signal Voltage
Conditions
Applied Between V CC and COM
Applied Between V B and V S
Applied Between IN and COM
Rating
20
20
-0.3 ~ V CC + 0.3
Unit
V
V
V
Thermal Resistance
Symbol
R ? JC
Parameter
Junction to Case Thermal Resistance
Conditions
Each MOSFET under Inverter Oper-
ating Condition (1st Note 1)
Rating
9.2
Unit
°C/W
Total System
Symbol
T J
T STG
V ISO
Parameter
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage
Conditions
60 Hz, Sinusoidal, 1 Minute, Con-
nect Pins to Heat Sink Plate
Rating
-20 ~ 150
-50 ~ 150
1500
Unit
°C
°C
V rms
1st Notes:
1. For the measurement point of case temperature T C , please refer to Figure 4.
2. Marking “ * “ is calculation value or design factor.
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FSB52006S Rev. C4
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB560 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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